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Motivation

Mikroelektronik ist eine Schlüsseltechnologie der Digitalisierung. Ihre Beherrschung ist entscheidend für die technologische Souveränität Europas. In der europäischen Partnerschaft KDT fördert die EU gemeinsam mit Mitgliedstaaten innovative Forschungsvorhaben und Pilotlinien in der Mikroelektronik. Deutsche Schwerpunkte liegen dabei auf multifunktionalen Elektroniksystemen, energiesparender Leistungselektronik, Design komplexer Systeme sowie Produktionstechnologien.

Ziele und Vorgehen

Ziel des Projektes ist die Stärkung der europäischen Innovations- und Wertschöpfungskette für Indiumphosphid (InP)-basierte Elektronik. Dies dient zur Vorbereitung auf eine zukünftige Skalierung der Technologie zur Produktion von Hochfrequenzbauelementen in größeren Stückzahlen. Dafür planen die Partner im europäischen Verbund Forschungs- und Entwicklungsarbeiten von der Waferherstellung über Epitaxieprozesse bis zu den Entwurfswerkzeugen für Transistoren und Schaltungen. Die deutschen Partner sind an den Arbeiten maßgeblich beteiligt. Dazu gehören die Entwicklung mehrfach nutzbarer 300-mm-InP-Wafer, von Epitaxieanlagen und -prozessen für elektronisch hochwertige InP-Schichten sowie der Entwurf, Aufbau und die Integration von Hochfrequenzschaltungen und -modulen.

Innovationen und Perspektiven

InP hat aufgrund seiner physikalischen Materialeigenschaften großes Anwendungspotenzial in der Hochfrequenzelektronik, beispielsweise für neuartige Radarsensoren oder die mobile drahtlose Kommunikationstechnik. Die im Projekt geplanten Entwicklungen tragen dazu bei, die Kosten für die zukünftige Herstellung von InP-Bauelementen und -Modulen deutlich zu senken und somit das Anwendungspotenzial zu heben.