HyTeck

Motivation

Die Mikroelektronik ist eine Schlüsseltechnologie und Grundlage zahlreicher Innovationen der Digitalisierung. Kommende Generationen von Elektroniksystemen müssen gesteigerte Funktionalität sowie hohe Vernetzungsfähigkeit, Energieeffizienz und Zuverlässigkeit aufweisen. Dies erfordert eine immer stärkere Integration heterogener Bauteile auf möglichst immer kleinerem Raum. Um die Innovationsdynamik in der Mikroelektronik durch diese Multifunktionalität weiter zu steigern, müssen grundlegende Technologien der Systemintegration fortentwickelt und für die industrielle Herstellung künftiger Elektroniksysteme nutzbar gemacht werden.

Ziele und Vorgehen

Das Vorhaben zielt auf die Schaffung einer Technologieplattform für die Hybridintegration der Silizium-Germanium (SiGe)-BiCMOS- und Gallium-Nitrid (GaN)-Halbleitertechnologien für Hochfrequenzanwendungen bis 67 GHz für die Bereiche Messtechnik und Kommunikation. Durch die Kombination dieser beiden Technologien auf Wafer-Ebene können integrierte Schaltkreise besonders leistungsfähig werden. Zusätzlich zu den anspruchsvollen technologischen Zielen wird auch die Entwicklung einer Designumgebung angestrebt, um eine kostengünstige Fertigung auch bei kleinen Stückzahlen und dadurch eine breite Nutzung zu ermöglichen.

Innovationen und Perspektiven

Die angestrebte Plattform soll dazu beitragen, auch kleineren und mittleren Unternehmen bzw. Unternehmen, die auf Nischenmärkte fokussiert sind (z. B. Hochfrequenzmesstechnik) und somit geringe Stückzahlen benötigen, einen Zugang zu dieser innovativen Technologie zu gewähren. Somit hat das Vorhaben eine große Breitenwirksamkeit und eine strategische Bedeutung für die Fortentwicklung komplexer elektronischer Systeme in Deutschland.