ForMikro - SiGeSn-NanoFETs

Motivation

Die forschungsintensive Mikroelektronik und ihre Anwendungen sind branchenübergreifend Treiber für Fortschritt, Wettbewerb und Innovation. Um die Pipeline neuer Mikroelektronik gefüllt zu halten, soll neues Wissen in den Natur- und Ingenieurswissenschaften für künftige Mikroelektronik erschlossen werden. Im Mittelpunkt der Förderung von Hochschulen und außeruniversitären Forschungseinrichtungen stehen Themen, die zwar noch nicht industriell erforscht werden, für die aber ein nachgewiesenes Interesse aus der Industrie vorliegt. Die Brücke zwischen Grundlagenforschung und industriegeführter Forschung in der Mikroelektronik wird somit ausgebaut.

Ziele und Vorgehen

Ziel des Projekts SiGeSn-NanoFETs ist der Auf-bau einer Bauteiltechnologieplattform, die über rein siliziumbasierte Mikroelektronik hinausgeht. Dazu wird ein neues Materialsystem auf Basis von organometallischen Verbindungen erforscht, das sich in bestehende Prozessketten integrieren lässt und zugleich deutlich höhere Leistungen ermöglichen kann. Im Projekt werden die Prozessketten im Hinblick auf die spätere industrielle Nutzung erforscht und an der beispielhaften Herstellung verschiedenartiger Transistoren auf Basis des neuen Materialsystems gezeigt. Diese Demonstratoren sollen hinsichtlich der elektrischen Eigenschaften den Stand der Technik deutlich übertreffen. Die assoziierten Industriepartner unterstützen den schnellen Ergebnistransfer in die Anwendung.

Innovationen und Perspektiven

Im Erfolgsfall eröffnet das neuartige Materialsystem völlig neue Möglichkeiten, um bisherige Einschränkungen der reinen Siliziumtechnologie zu überwinden und somit eine hohe Breitenwirksamkeit zu erreichen. Dies betrifft vor allem die Energieeffizienz und die Flexibilität beim Einsatz der Bauelemente. Insbesondere der Bereich der Höchstleistungs- und Hochfrequenzbauelemente für neuartige Elektroniksysteme wird von dieser Entwicklung profitieren und so den Entwicklungsstandort Deutschland maßgeblich stärken.