ForMikro - LeitBAN

Motivation

Die forschungsintensive Mikroelektronik und ihre Anwendungen sind branchenübergreifend Treiber für Fortschritt, Wettbewerb und Innovation. Um die Pipeline neuer Mikroelektronik gefüllt zu halten, soll neues Wissen in den Natur- und Ingenieurswissenschaften für künftige Mikroelektronik erschlossen werden. Im Mittelpunkt der Förderung von Hochschulen und außeruniversitären Forschungseinrichtungen stehen Themen, die zwar noch nicht industriell erforscht werden, für die aber ein nachgewiesenes Interesse aus der Industrie vorliegt. Die Brücke zwischen Grundlagenforschung und industriegeführter Forschung in der Mikroelektronik wird somit ausgebaut.

Ziele und Vorgehen

Im Projekt LeitBAN sollen auf Basis von Wide-Band-Gap-Halbleitern neue Leistungselektronik-materialien und Bauelemente erforscht werden. Zwar wird aktuell immer noch sehr häufig Silizium für Umrichter und Schalter verwendet, es drängen aber immer mehr neue Materialien, sogenannte Wide-Band-Gap-Halbleiter, auf den Markt, da diese enorme Vorteile bieten. Durch die vielversprechenden Eigenschaften von Aluminiumnitrid (AlN) werden kompaktere Transistoren mit bisher nicht erreichter Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit ermöglicht. LeitBAN deckt die gesamte Wertschöpfungskette von der Materialentwicklung, Wafertechnologie, Epitaxie, Prozessierung, Charakterisierung und Modellierung ab. Die Vorteile der AlN-Technologie gegenüber konventioneller Silizium- oder Galliumnitrid-Technik sollen anhand von Demonstratoren gezeigt und mithilfe der as-soziierten Industriepartner bewertet werden.

Innovationen und Perspektiven

LeitBAN wird das Potenzial von AlN-Transistoren auf AlN-Substraten für Leistungselektronik und Mikrometerwellen-Anwendungen demonstrieren und Möglichkeiten zum Transfer dieser Technologie in die Industrie aufzeigen. Im Erfolgsfall ergeben sich dadurch große Chancen für den Standort Deutschland im Bereich AlN-basierter Leistungselektronik.