CoGaN
Neuartige Packaging-Technologie für Galliumnitrid-basierte Hochfrequenz-Elektroniksysteme
Motivation
Die Mikroelektronik ist eine Schlüsseltechnologie und Grundlage zahlreicher Innovationen der Digitalisierung. Kommende Generationen von Elektroniksystemen müssen gesteigerte Funktionalität sowie hohe Vernetzungsfähigkeit, Energieeffizienz und Zuverlässigkeit aufweisen. Dies erfordert eine immer stärkere Integration heterogener Bauteile auf möglichst immer kleinerem Raum. Um die Innovationsdynamik in der Mikroelektronik durch diese Multifunktionalität weiter zu steigern, müssen grundlegende Technologien der Systemintegration fortentwickelt und für die industrielle Herstellung künftiger Elektroniksysteme nutzbar gemacht werden.
Ziele und Vorgehen
In diesem Vorhaben soll eine kompakte Aufbautechnik für integrierte Galliumnitrid (GaN)-Leistungshalbleiter in Kommunikationsmodulen erforscht werden. Ziel ist eine durchgängige und zuverlässige Technologieplattform einschließlich einer angepassten Gehäusetechnologie, die deutlich über den aktuellen Stand der Technik hinausgeht. Dafür sollen insbesondere neue Bearbeitungsprozesse für GaN-Wafer entwickelt und Schutzschichten sowie die Signaldurchführung verbessert werden. Der Verbundkoordinator UMS stellt als Halbleiterfabrikant die Zugänglichkeit der Technologie sicher und plant die Verwertung für Richtfunkantennen.
Innovationen und Perspektiven
Das Vorhaben verspricht signifikante Verbesserungen hinsichtlich Leistungsfähigkeit, Systemgröße, Gewicht und Kosten und hat aufgrund der Bedeutung für die Kommunikationstechnologie (z. B. für Mobilfunkanwendungen der fünften Generation) eine hohe Aktualität und Breitenwirkung.